A fotónica baseada en silicio considérase actualmente a plataforma fotónica de próxima xeración para comunicacións integradas.Non obstante, o desenvolvemento de moduladores ópticos compactos e de baixa potencia segue sendo un reto.Aquí informamos dun efecto electro-óptico xigante en pozos cuánticos acoplados Ge/SiGe.Este efecto prometedor baséase no efecto Stark cuántico anómalo debido ao confinamento separado de electróns e buratos en pozos cuánticos Ge/SiGe acoplados.Este fenómeno pódese utilizar para mellorar significativamente o rendemento dos moduladores de luz en comparación cos enfoques estándar desenvolvidos ata agora na fotónica de silicio.Medimos cambios no índice de refracción de ata 2,3 × 10-3 a unha tensión de polarización de 1,5 V cunha eficiencia de modulación correspondente VπLπ de 0,046 Vcm.Esta demostración abre o camiño para o desenvolvemento de eficientes moduladores de fase de alta velocidade baseados en sistemas de materiais Ge/SiGe.
Hora de publicación: 06-06-2023