Como todos sabemos, a tendencia de desenvolvemento da tecnoloxía de materiais obxectivo está intimamente relacionada coa tendencia de desenvolvemento da tecnoloxía de películas na industria de aplicacións posteriores.Coa mellora tecnolóxica dos produtos ou compoñentes de películas na industria de aplicacións, a tecnoloxía de destino tamén debería cambiar.Por exemplo, os fabricantes de Ic centráronse recentemente no desenvolvemento de cables de cobre de baixa resistividade, que se espera que substitúan significativamente a película de aluminio orixinal nos próximos anos, polo que será urxente o desenvolvemento de obxectivos de cobre e os seus obxectivos de barreira requiridos.
Ademais, nos últimos anos, a pantalla de pantalla plana (FPD) substituíu en gran medida ao mercado de pantallas e televisión baseados en tubos de raios catódicos (CRT).Tamén aumentará moito a demanda técnica e do mercado de obxectivos ITO.E despois está a tecnoloxía de almacenamento.A demanda de discos duros de alta densidade e gran capacidade e discos borrables de alta densidade segue aumentando.Todo isto levou a cambios na demanda de materiais obxectivo na industria de aplicacións.A continuación, presentaremos os principais campos de aplicación de destino e a tendencia de desenvolvemento de destino nestes campos.
1. Microelectrónica
En todas as industrias de aplicación, a industria de semicondutores ten os requisitos de calidade máis estritos para as películas de pulverización catódica.Agora fabricáronse obleas de silicio de 12 polgadas (300 epistaxis).O ancho da interconexión está a diminuír.Os requisitos dos fabricantes de obleas de silicio para materiais obxectivo son a gran escala, alta pureza, baixa segregación e gran fino, o que require que os materiais obxectivo teñan unha mellor microestrutura.O diámetro das partículas cristalinas e a uniformidade do material obxectivo foron considerados como os factores clave que afectan a taxa de deposición da película.
En comparación co aluminio, o cobre ten unha maior resistencia á electromobilidade e unha menor resistividade, o que pode cumprir os requisitos da tecnoloxía de condutores no cableado submicrónico por debaixo de 0,25 um, pero trae outros problemas: baixa forza de adhesión entre o cobre e os materiais medios orgánicos.Ademais, é fácil reaccionar, o que leva á corrosión da interconexión de cobre e á rotura do circuíto durante o uso do chip.Para resolver este problema, debe colocarse unha capa de barreira entre o cobre e a capa dieléctrica.
Os materiais obxectivo utilizados na capa de barreira da interconexión de cobre inclúen Ta, W, TaSi, WSi, etc. Pero Ta e W son metais refractarios.É relativamente difícil de fabricar, e as aliaxes como o molibdeno e o cromo estanse estudando como materiais alternativos.
2. Para a visualización
A pantalla plana (FPD) tivo un gran impacto no mercado de monitores e televisión baseados en tubos de raios catódicos (CRT) ao longo dos anos, e tamén impulsará a tecnoloxía e a demanda do mercado de materiais obxectivo ITO.Hoxe hai dous tipos de obxectivos ITO.Un é usar o estado nanométrico de óxido de indio e po de óxido de estaño despois da sinterización, o outro é usar o obxectivo de aliaxe de indio e estaño.A película ITO pódese fabricar mediante pulverización catódica reactiva de CC nun obxectivo de aliaxe de indio e estaño, pero a superficie do obxectivo oxidarase e afectará a taxa de pulverización catódica e é difícil conseguir un obxectivo de aliaxe de gran tamaño.
Hoxe en día, o primeiro método é xeralmente adoptado para producir material obxectivo de ITO, que é o revestimento de pulverización catódica mediante reacción de magnetrón.Ten unha taxa de deposición rápida.O grosor da película pódese controlar con precisión, a condutividade é alta, a consistencia da película é boa e a adhesión do substrato é forte.Pero o material obxectivo é difícil de facer, porque o óxido de indio e o óxido de estaño non se sinterizan facilmente xuntos.Xeralmente, ZrO2, Bi2O3 e CeO son seleccionados como aditivos de sinterización, e pódese obter o material obxectivo cunha densidade do 93% ~ 98% do valor teórico.O rendemento da película ITO formada deste xeito ten unha gran relación cos aditivos.
A resistividade de bloqueo da película de ITO obtida mediante o uso deste material obxectivo alcanza os 8,1 × 10n-cm, que está preto da resistividade da película de ITO pura.O tamaño do FPD e o vidro condutor é bastante grande e o ancho do vidro condutor pode ata chegar aos 3133 mm.Co fin de mellorar a utilización dos materiais obxectivo, desenvólvense materiais de destino ITO con diferentes formas, como a forma cilíndrica.En 2000, a Comisión Nacional de Planificación do Desenvolvemento e o Ministerio de Ciencia e Tecnoloxía incluíron grandes obxectivos de ITO nas Directrices para as áreas clave da industria da información actualmente prioritarias para o desenvolvemento.
3. Uso de almacenamento
En termos de tecnoloxía de almacenamento, o desenvolvemento de discos duros de alta densidade e gran capacidade require unha gran cantidade de materiais de película de reluctancia xigante.A película composta multicapa CoF~Cu é unha estrutura de película de reluctancia xigante moi utilizada.O material obxectivo de aliaxe TbFeCo necesario para o disco magnético aínda está en desenvolvemento.O disco magnético fabricado con TbFeCo ten as características de gran capacidade de almacenamento, longa vida útil e borrabilidade repetida sen contacto.
A memoria de cambio de fase baseada en telururo de xermanio de antimonio (PCM) mostrou un potencial comercial significativo, pasa a formar parte da memoria flash NOR e do mercado DRAM nunha tecnoloxía de almacenamento alternativa, con todo, na implementación reducida máis rapidamente, un dos desafíos no camiño para existir é a falta de restablecer. a produción actual pódese baixar aínda máis unidade completamente selada.Reducir a corrente de reinicio reduce o consumo de enerxía da memoria, prolonga a duración da batería e mellora o ancho de banda de datos, todas as características importantes dos dispositivos de consumo altamente portátiles e centrados en datos actuais.
Hora de publicación: 09-08-2022